臭氧浓度为什么会影响ALD薄膜成分?
ALD工艺通过前驱体和氧化剂交替脉冲,在基底表面完成自限制反应。以臭氧作为氧化剂时,臭氧需要与吸附在基底表面的前驱体残留基团发生反应,促进配体去除,并形成金属—氧键。

当臭氧浓度不足时,可能出现以下情况:
- 前驱体配体氧化不充分,残留碳含量增加。
- 表面反应不完全,薄膜中可能残留较多有机杂质。
- 薄膜中的羟基及其他含氧基团比例发生变化。
- 不同沉积循环之间的反应程度出现差异。
当臭氧浓度提高时,氧化能力通常会增强,但并不意味着浓度越高越好。实际效果还受到臭氧脉冲时间、反应压力、反应温度、腔体结构及气体传输效率等因素影响。
需要注意:臭氧发生器出口浓度不等于ALD反应腔内的实际臭氧浓度。 管路损耗、腔体压力和气体输送过程都会影响到达基底表面的臭氧条件。
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